Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package. 

Rezultāti: 4
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tranzistora polaritāte Kanālu skaits VDS - DS pārtraukuma spriegums Id - nepārtraukta noplūdes strāva RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība VGS - kanāla-avota spriegums VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums Qg - kanāla lādiņš Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Pd - jaudas izkliede Kanāla režīms Tirdzniecības nosaukums Iepakojums
Vishay Semiconductors MOSFET SO8 P-CH 30V 15.2A 8 024Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 20.5 A 7.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 9 183Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 176Ir noliktavā
15 000Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 29 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 129 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 1 734Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 260 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel