HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm PSAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Darbības frekvence
Darba barošanas spriegums
Darba barošanas strāva
Pieaugums
Tips
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tehnoloģija
P1dB - kompresijas punkts
OIP3 - trešās kārtas pārtveršana
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Sērija
Iepakojums
Analog Devices RF pastiprinātājs GaN Driver Ampllifier
Datu lapa
103Ir noliktavā
187Paredzamais 01.05.2026
Min.: 1
Vair.: 1

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 35 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 41.5 dBm 44 dBm - 40 C + 85 C HMC1114 Cut Tape
Analog Devices RF pastiprinātājs GaN Driver Ampllifier
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 11 Nedēļas
Min.: 500
Vair.: 500
Rullis: 500

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 32 dB Driver Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C HMC1114 Reel