eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Rezultāti: 12
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Datu lapa
1 929Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Datu lapa
1 904Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Datu lapa
1 976Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Datu lapa
1 976Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Datu lapa
2 000Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 17A FET
Datu lapa
1 728Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8072 100V 60A FET
Datu lapa
1 705Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8073 150V 28A FET
Datu lapa
4 698Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 29A FET
Datu lapa
286Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 17A FET
Datu lapa
2 060Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 11.5A FET
Datu lapa
720Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 11.5A FET
Datu lapa
2 483Paredzamais 23.02.2026
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement