STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Rezultāti: 3
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Konfigurācija
If - tiešā strāva
Vrrm - atkārtots pretspriegums
Vf - tiešais spriegums
Ifsm - tiešā impulsstrāva
IR - pretstrāva
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Kvalifikācija
Iepakojums
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Datu lapa
114Ir noliktavā
600Paredzamais 16.03.2026
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 600

SMD/SMT HU3PAK-9 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 1.1 kA 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Datu lapa
878Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Datu lapa
49Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube