TrenchT2™ Standard/HiPerFET™ Power MOSFETs

Littelfuse TrenchT2™ Standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are enhancement mode, single- or dual-channel MOSFETs offering high current carrying capabilities (up to 600A). These devices feature a low drain-source on resistance (3.5mΩ to 22mΩ) and gate charge (25.5nC to 178nC) within a wide -55°C to +175°C operating temperature range. Available in various compact packages, the TrenchT2 MOSFETs are ideal for low voltage, high current power conversion systems.

Rezultāti: 9
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
Iepakojums
IXYS MOSFET DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
Datu lapa
Nav noliktavā
Min.: 300
Vair.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS MOSFET IXFA76N15T2 TRL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 23 Nedēļas
Min.: 800
Vair.: 800
Rullis: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 24 Nedēļas
Min.: 400
Vair.: 400
Rullis: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA100N04T2 TRL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 28 Nedēļas
Min.: 800
Vair.: 800
Rullis: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA110N055T2 TRL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 23 Nedēļas
Min.: 800
Vair.: 800
Rullis: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA200N055T2 TRL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 23 Nedēļas
Min.: 800
Vair.: 800
Rullis: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA220N04T2 TRL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 28 Nedēļas
Min.: 800
Vair.: 800
Rullis: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA230N075T2 TRL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 23 Nedēļas
Min.: 800
Vair.: 800
Rullis: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTY90N055T2 TRL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 23 Nedēļas
Min.: 2 500
Vair.: 2 500
Rullis: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel