GD3162 Uzlabotie IGBT/SIC vārtu draiveri

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Rezultāti: 8
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Sērija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Kanālu skaits Izolācijas spriegums Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Iepakojums
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 076Ir noliktavā
704Paredzamais 21.07.2026
Min.: 1
Vair.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 282Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1 000
Vair.: 1 000
Rullis: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 176
Vair.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1 000
Vair.: 1 000
Rullis: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniski izolēti kanālu draiveri Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 176
Vair.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray