QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier

Qorvo QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Darbības frekvence
Darba barošanas spriegums
Darba barošanas strāva
Pieaugums
Tips
Montāžas veids
Tehnoloģija
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Sērija
Iepakojums
Qorvo RF pastiprinātājs 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Datu lapa
72Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Bag
Qorvo RF pastiprinātājs 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 250
Vair.: 250
Rullis: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Reel