RBR40NSx0AFH Automotive Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBR40NSx0AFH Automotive Schottky Barrier Diodes are highly reliable low VF type diodes. These barrier diodes feature power mold type and cathode common dual type and come with Silicon epitaxial planar structure. The RBR40NSx0AFH diodes are stored at -55°C to +150°C temperature range. These barrier diodes function at 40A average rectified forward current, 100A peak forward surge current, and +150°C junction temperature. ROHM Semiconductor RBR40NSx0AFH automotive Schottky barrier diodes are ideal for use in switching power supply

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Produkts
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Konfigurācija
Tehnoloģija
If - tiešā strāva
Vrrm - atkārtots pretspriegums
Vf - tiešais spriegums
Ifsm - tiešā impulsstrāva
IR - pretstrāva
Maksimālā darba temperatūra
Kvalifikācija
Iepakojums
ROHM Semiconductor Schottky diodes un taisngrieži Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky diodes un taisngrieži Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1 000
Vair.: 1 000
Rullis: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 40 V 550 mV 100 A 430 uA + 150 C AEC-Q101 Reel