PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ +25°C. PANJIT PTGH IGBTs are co-packaged with low Qrr and a soft recovery diode. The IGBTs ensure efficient performance with a maximum junction temperature of TVJ +175°C. The devices are designed for reliability under demanding conditions. A positive coefficient VCEsat enables easy paralleling usage. Moreover, the IGBTs are lead-free, comply with EU RoHS 2.0 standards, and utilize a Green molding compound in line with IEC 61249 standards.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija
Iepakojums / korpusa
Montāžas veids
Konfigurācija
Kolektors - starotāja spriegums, VCEO maks.
Kolektora-starotāja piesātinājuma spriegums
Maksimālais kanāla starotāja spriegums
Nepārtraukta kolektora strāva pie 25 C
Pd - jaudas izkliede
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Iepakojums
Panjit IGBT 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
Datu lapa
900Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBT 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor
Datu lapa
834Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube