Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.

Rezultāti: 6
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Atmiņas lielums
Saskarnes tips
Organizācija
Iepakojums / korpusa
Piekļuves laiks
Barošanas spriegums - min.
Barošanas spriegums - maks.
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Iepakojums
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - TSOP44 tray
Datu lapa
25Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - FBGA48 tray
Datu lapa
480Paredzamais 02.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - FBGA48 tray
Datu lapa
219Paredzamais 02.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - TSOP44 tray
Datu lapa
67Paredzamais 01.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 126
Vair.: 126
4 Mbit 512 K x 8 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
RAMXEED F-RAM
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 12 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1
4 MB 256 K x 16 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray