NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFET comes in compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET features low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTFS6H860NL MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This onsemi MOSFET comes in a 3.3mm x 3.3mm package. Typical applications include reverse battery protection, power switches (high-side drivers, low-side drivers, and H-bridges), and switching power supplies.

Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS ECAD modelis Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa Tranzistora polaritāte Kanālu skaits VDS - DS pārtraukuma spriegums Id - nepārtraukta noplūdes strāva RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība VGS - kanāla-avota spriegums VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums Qg - kanāla lādiņš Minimālā darba temperatūra Maksimālā darba temperatūra Pd - jaudas izkliede Kanāla režīms Kvalifikācija Iepakojums
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 15 413Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 2 893Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel