3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.

Diskrēto pusvadītāju veidi

Mainīt kategorijas skatu
Rezultāti: 2
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS Produkta tips Tehnoloģija Montāžas veids Iepakojums / korpusa
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET 754Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800

SiC MOSFETS SiC
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
120Paredzamais 21.07.2026
Min.: 1
Vair.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2