CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

Tranzistoru veidi
Mainīt kategorijas skatu
Rezultāti: 8
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS Produkta tips
Tehnoloģija
Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
147Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
341Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
141Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
226Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
201Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
288Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 22 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel