SICWx silīcija karbīda (SIC) MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICWx silīcija karbīda (SIC) MOSFET ir ātrgaitas komutācijas 650 V SIC MOSFET. Šajos MOSFET izmanto SIC MOSFET tehnoloģiju, un tie ir labi piemēroti augstsprieguma lietojumiem, nodrošinot uzticamu darbību skarbās industriālās vidēs. Lai samazinātu komutācijas zudumus un palielinātu kopējo sistēmas efektivitāti, SICWx MOSFET ir izveidoti ar zemu RDS(on) un zemu aizvara lādiņu. Efektivitāti uzlabojošā konstrukcija un TO-247 korpuss nodrošina izcilu termisko veiktspēju, savukārt 3 vai 4 kontaktu (Kelvina avota kontakts) versijas sniedz daudzveidīgākas iespējas. Lai nodrošinātu labāku siltuma pārvaldību un efektivitāti, SICWx MOSFET ir lavīntranzistori ar izturīgu konstrukciju, kas nodrošina labāku siltuma pārvaldību un efektivitāti. Šos MOSFET vislabāk izmantot barošanas avotos, telekomunikācijās, atjaunojamās enerģijas sistēmās un motorpiedziņās.

Rezultāti: 6
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Datu lapa
360Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
177Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
336Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Datu lapa
355Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Datu lapa
337Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Datu lapa
360Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement