Šķiet, ka jūsu pārlūkā ir atspējots JavaScript. Dažas šīs lapas funkcijas nedarbosies, ja nebūsiet pieteicies.

Atgriezties pie meklēšanas rezultātiem

PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 0.45 EUR
Availability: OutOfStock

Attēli ir tikai atsauce
Skatiet produkta specifikāciju

Mouser Nr.:

771-PMDXB550UNEZ

Raž. Nr.:

PMDXB550UNEZ

Raž.:

Nexperia

Apraksts:

MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

Datu lapa:

PMDXB550UNEZ Datu lapa (PDF)

ECAD modelis:

Lejupielādējiet bezmaksas Bibliotēkas ielādētāju, lai pārveidotu failu savam ECAD rīkam. Uzziniet vairāk par ECAD modeļiem.

Vairāk informācijas

Uzzināt vairāk par Nexperia PMDXB550UNEZ

Pieejamība

Noliktavas krājumi:: 0

Jūs joprojām varat iegādāties šo produktu ar atlikto pasūtījumu.

Radās negaidīta kļūda. Lūdzu, vēlāk mēģiniet vēlreiz.
Pēc pasūtījuma:: 140 000

Paredzamais 08.02.2027
Izpildes laiks rūpnīcā:: 8

Nedēļas Paredzamais rūpnīcas ražošanas laiks daudzumiem, kas ir lielāki par parādīto.

Šim produktam ir ziņots ilgs piegādes laiks.

Ievadiet daudzumu:

Minimums: 1 Vairāki: 1

Vienības cena:

-,-- €

Kop. cena:

-,-- €

Apr. tarifs:

Iepakojums:

Pilna Spole (pasūtiet komplektos pa 5000)

Nogriezta lente

MouseReel™ (+5,00 €)

Cenu noteikšana (EUR)

Daudz.	Vienības cena	Kop. cena
Grieztā lente / MouseReel™ ^†
	0,456 €	0,46 €
	0,277 €	2,77 €
	0,177 €	17,70 €
	0,132 €	66,00 €
	0,108 €	108,00 €
	0,107 €	267,50 €
Pilna Spole (pasūtiet komplektos pa 5000)
	0,093 €	465,00 €
	0,082 €	820,00 €
	0,081 €	2 025,00 €

† 5,00 € MouseReel™ samaksa tiks pievienota un aprēķināta jūsu pirkumu grozā. Visi MouseReel™ pasūtījumi nav atsaucami un nav atgriežami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkta atribūts	Priekšmeta vērtība	Atlasīt atribūtu
Ražotājs:	Nexperia
Produktu kategorija:	MOSFET
RoHS:
Tehnoloģija:	Si
Montāžas veids:	SMD/SMT
Iepakojums / korpusa:	DFN-1010-6
Tranzistora polaritāte:	N-Channel
Kanālu skaits:	2 Channel
VDS - DS pārtraukuma spriegums:	30 V
Id - nepārtraukta noplūdes strāva:	590 mA
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība:	670 mOhms
VGS - kanāla-avota spriegums:	- 8 V, 8 V
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums:	450 mV
Qg - kanāla lādiņš:	1.05 nC
Minimālā darba temperatūra:	- 55 C
Maksimālā darba temperatūra:	+ 150 C
Pd - jaudas izkliede:	4.03 W
Kanāla režīms:	Enhancement
Iepakojums:	Reel
Iepakojums:	Cut Tape
Iepakojums:	MouseReel
Zīmols:	Nexperia
Konfigurācija:	Dual
Montāžas valsts:	Not Available
Izgatavošanas valsts:	Not Available
Izcelsmes valsts:	MY
Kritumlaiks:	3 ns
Tiešās strāvas transvadītspēja - min:	600 mS
Produkta tips:	MOSFETs
Pacēluma laiks:	7 ns
Rūpnīcas iepakojuma daudzums:	5000
Apakškategorija:	Transistors
Tipiskais izslēgšanas aizkaves laiks:	12 ns
Tipiskais ieslēgšanās aizkaves laiks:	4 ns
Tranzistora tips:	2 N-Channel
Detaļu # pseidonīmi:	934069326147
Preces svars:	1,290 mg

Atrastie produkti:

Lai parādītu līdzīgus produktus, atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu.

Atzīmējiet vismaz vienu izvēles rūtiņu (augstāk), lai parādītos līdzīgie produkti šajā kategorijā.

Izvēlētie atribūti: 0

Filtrēt dokumentu:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.