18 GHz Pusvadītāji

Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS

MACOM PIN diodes CW=3Watts Recovery time 15ns 400Ir noliktavā
Min.: 100
Vair.: 100
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 100Ir noliktavā
Min.: 100
Vair.: 100

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 40Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 516Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 518Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 500

MACOM PIN diodes 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2 620Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 344Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 500

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 450Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750Paredzamais 15.09.2026
Min.: 1
Vair.: 1
: 250

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Izpildes laiks 20 Nedēļas
Min.: 50
Vair.: 50

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 10
Vair.: 10

Microchip Technology PIN diodes Si Limiter Hermetic Microstrip Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 14
Vair.: 14
MACOM MA4L011-134
MACOM PIN diodes Diode,Pin,Chip,Oxide Izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 100
Vair.: 100