18 GHz Pusvadītāji

Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70Ir noliktavā
Min.: 10
Vair.: 10


MACOM PIN diodes CW=3Watts Recovery time 15ns 400Ir noliktavā
Min.: 100
Vair.: 100
Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 518Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 500

MACOM PIN diodes 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2 885Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 89Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 415Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 500

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 479Ir noliktavā
7Paredzamais 26.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20Ir noliktavā
Min.: 10
Vair.: 10

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 1Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 40Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750Paredzamais 15.09.2026
Min.: 1
Vair.: 1
: 250

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 10
Vair.: 10

Analog Devices Pārrēķinu priekšiekārta InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 10 Nedēļas
Min.: 14
Vair.: 14
Microchip Technology PIN diodes Si Limiter Hermetic Microstrip Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 20 Nedēļas
MACOM MA4L011-134
MACOM PIN diodes Diode,Pin,Chip,Oxide Izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 100
Vair.: 100