GaN Pusvadītāji

Rezultāti: 802
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 637Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 693Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

STMicroelectronics Kanālu draiveri High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 702Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 700Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Nexperia GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 908Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 500

Analog Devices Galvaniski izolēti kanālu draiveri Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V 13 615Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 1 000

Analog Devices Galvaniski izolēti kanālu draiveri Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V 4 243Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Mini-Circuits RF pastiprinātājs High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50 Ohm 2Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 610Ir noliktavā
Min.: 10
Vair.: 10

Texas Instruments Kanālu draiveri 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF 275Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 250

Analog Devices Galvaniski izolēti kanālu draiveri Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V 3 621Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 1 000

CML Micro RF pastiprinātājs Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers 88Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 10

MACOM RF pastiprinātājs MMIC, GaN HEMT, G28V5, 50W, 5.2-5.9GHz,
28Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 10

Qorvo RF pastiprinātājs 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
34Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Qorvo RF pastiprinātājs 20 TO 40 GHZ, 8W MMIC PA DOT
10Ir noliktavā
Min.: 10
Vair.: 10

Power Integrations Maiņstrāvas/līdzstrāvas pārveidotāji 75 W (85-265 VAC) 7 771Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 000

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
725Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 250

MACOM RF pastiprinātājs 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
238Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT 309Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM RF pastiprinātājs Transistor,GaN,100W,CW 175Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Qorvo GaN FET DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr 22Ir noliktavā
100Paredzamais 11.11.2026
Min.: 1
Vair.: 1
: 50

Qorvo GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V 17Ir noliktavā
100Paredzamais 18.08.2026
Min.: 1
Vair.: 1
: 100

MACOM GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
6Ir noliktavā
10Paredzamais 25.09.2026
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM RF pastiprinātājs Amplifier,GaN,50W,CW 42Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 25Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1