Module Pusvadītāji

Rezultāti: 131
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS
Crydom Diskrētie pusvadītāju moduļi 50A 600V SCR DBLR MODULE POWER
Datu lapa
9Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Wolfspeed Diskrētie pusvadītāju moduļi SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Datu lapa
20Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies MOSFET moduļi HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
Datu lapa
2Ir noliktavā
24Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies IGBT moduļi 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Datu lapa
24Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies IGBT moduļi 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datu lapa
19Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
60Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
27Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies IGBT moduļi IGBT 1200V 400A
Datu lapa
435Ir noliktavā
120Paredzamais 25.05.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies IGBT moduļi 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datu lapa
11Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET moduļi 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datu lapa
4Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET moduļi 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datu lapa
4Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET moduļi 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datu lapa
4Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Vishay Semiconductors IGBT moduļi Modules IGBT - IAP IGBT
Datu lapa
25Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Wolfspeed Diskrētie pusvadītāju moduļi SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial
Datu lapa
11Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Wolfspeed Diskrētie pusvadītāju moduļi SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Datu lapa
10Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies Tiristoru moduļi 1600V 410A DUAL
Datu lapa
97Ir noliktavā
63Paredzamais 17.12.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies Tiristoru moduļi 1600V 520A DUAL
Datu lapa
89Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET moduļi 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
Datu lapa
48Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 4

Wolfspeed Diskrētie pusvadītāju moduļi 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module
Datu lapa
83Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Wolfspeed Diskrētie pusvadītāju moduļi 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module
Datu lapa
24Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies IGBT moduļi 650 V, 50 A PIM IGBT module
Datu lapa
14Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Infineon Technologies IGBT moduļi Automotive grade Easy modules for On Board Charger (OBC) and EV aux applications
Datu lapa
19Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Wolfspeed Diskrētie pusvadītāju moduļi SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Datu lapa
3Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Microchip Technology Kanālu draiveri RF MOSFET (VDMOS) Half-Bridge Hybrid 500 V 1700 W 30 MHz T4
Datu lapa
8Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Crydom Diskrētie pusvadītāju moduļi 100A 1200V SCR CC MODULE POWER
Datu lapa
9Ir noliktavā
10Paredzamais 03.08.2026
Min.: 1
Vair.: 1