Rezultāti: 5 041
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS
Toshiba MOSFET N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F 2 093Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Allegro MicroSystems Galvaniski izolēti kanālu draiveri SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V 464Ir noliktavā
9 000Paredzamais 02.07.2026
Min.: 1
Vair.: 1
: 1 500

Vishay Semiconductors MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 2 330Ir noliktavā
3 000Paredzamais 19.08.2027
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi MOSFET T6 60V LL S08FL DS 4 517Ir noliktavā
3 000Paredzamais 12.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1
: 1 500


Diodes Incorporated MOSFET Low Side IntelliFET 69 363Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 500
Microchip Technology MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE 20 608Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Panjit Schottky diodes un taisngrieži Automotive 60V, Schottky, 10A 6 254Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 800

onsemi Bipolārais transistors (BJT) NPN MULTI-CHIP 2 806Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000


Vishay Semiconductors MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 80 155Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 500

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 17Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Toshiba Mazo signālu komutācijas diodes High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 642 145Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V 247 692Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 4 000

Nexperia Bipolārais transistors (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product. 186 352Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Nexperia Bipolārais transistors (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product. 286 540Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 10 000

Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70 110 673Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Vishay / Siliconix MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified 305 550Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Vishay / Siliconix MOSFET Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L 71 042Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Vishay / Siliconix MOSFET Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified 28 800Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

STMicroelectronics MOSFET Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 41 888Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 265 313Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen 1 258Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified 44 314Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 000

Toshiba Mazo signālu komutācijas diodes Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR 886 310Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000

Nexperia Bipolārais transistors (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product. 128 216Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000


Vishay Semiconductors MOSFET N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified 306 134Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 3 000