Visi rezultāti (137)

Lai skatītu filtrēšanas iespējas un sašaurinātu meklēšanas iespējas, izvēlieties kategoriju.
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS
EPC Kanālu draiveri Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
Datu lapa
5 672Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 15 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC23104
Datu lapa
4Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 35 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2304
Datu lapa
5Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Datu lapa
1 748Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Datu lapa
700Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 100 V, 22 A Half-Bridge Development Board Using EPC23102 GaN ePower Stage IC
Datu lapa
5Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Datu lapa
14 456Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter featuring EPC23104
Datu lapa
5Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 40 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2305
Datu lapa
5Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
Datu lapa
4 501Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

EPC Strāvas slēdžu IS - Strāvas sadale EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
Datu lapa
2 476Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

EPC Kanālu draiveri EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
Datu lapa
2 392Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
Datu lapa
14 983Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
Datu lapa
4 801Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Datu lapa
14 509Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Datu lapa
7 789Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 200 V, 30 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2304
Datu lapa
13Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 150 V, 25 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2305
Datu lapa
10Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 100 V, 65 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2361
Datu lapa
9Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC Barošanas pārvaldības IS izstrādes rīki 48 V/54 V Input to 12 V, 50 A Output Dual-Phase Synchronous Buck Converter Reference Design Board
Datu lapa
10Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
Datu lapa
2 310Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
Datu lapa
2 988Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
Datu lapa
990Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Datu lapa
2 439Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
Datu lapa
4 072Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000