CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

Infineon Technologies  CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET izmanto silīcija karbīda veiktspējas iespējas, nodrošinot zemākus enerģijas zudumus, kas nozīmē augstāku efektivitāti enerģijas pārveidošanas laikā.  Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET nodrošina priekšrocības dažādiem enerģijas pusvadītāju lietojumiem, piemēram, saules fotoelementiem, enerģijas uzglabāšanai, DC elektromobiļu uzlādei, motoru piedziņām un rūpnieciskiem barošanas avotiem. Ar CoolSiC G2 aprīkota DC ātrās uzlādes stacija elektrotransportlīdzekļiem nodrošina līdz pat 10% mazākus enerģijas zudumus nekā iepriekšējās paaudzes, vienlaikus nodrošinot lielāku uzlādes jaudu, nesamazinot konstrukcijas.

Rezultāti: 53
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 165Ir noliktavā
1 500Pēc pasūtījuma
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
731Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
725Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 800Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
737Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datu lapa
155Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
Datu lapa
145Ir noliktavā
2 000Paredzamais 16.02.2026
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
86Ir noliktavā
240Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
218Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
2 073Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 914Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 992Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
Izpildes laiks 25 Nedēļas
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 845Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 853Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 756Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 569Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Datu lapa
282Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
511Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Datu lapa
258Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Datu lapa
1 178Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datu lapa
364Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datu lapa
980Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datu lapa
285Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datu lapa
456Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC