Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Rezultāti: 31
Atlasīt Attēls Detaļas Nr.
 Raž.
Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu.
Daudz. RoHS ECAD modelis Montāžas veids
Iepakojums / korpusa
Tranzistora polaritāte
Kanālu skaits
VDS - DS pārtraukuma spriegums
Id - nepārtraukta noplūdes strāva
RDS ieslēgts - noplūdes avota pretestība
VGS - kanāla-avota spriegums
VGS TH - kanāla-avota sliekšņa spriegums
Qg - kanāla lādiņš
Minimālā darba temperatūra
Maksimālā darba temperatūra
Pd - jaudas izkliede
Kanāla režīms
Tirdzniecības nosaukums
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Datu lapa
350Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 2 000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Datu lapa
1 415Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Datu lapa
533Ir noliktavā
960Paredzamais 29.06.2026
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Datu lapa
779Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Datu lapa
598Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
2 662Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
2 468Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Datu lapa
1 203Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Datu lapa
1 684Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datu lapa
3 769Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 4 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Datu lapa
795Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datu lapa
1 685Ir noliktavā
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 4 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 110 m GaN BDS in TOLT
200Paredzamais 24.03.2026
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 100

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 26 Nedēļas
Min.: 1 200
Vair.: 1 200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 2 000
Vair.: 2 000
Rullis: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 3 000
Vair.: 3 000
Rullis: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 3 000
Vair.: 3 000
Rullis: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 16 Nedēļas
Min.: 2 000
Vair.: 2 000
Rullis: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 3 000
Vair.: 3 000
Rullis: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 3 000
Vair.: 3 000
Rullis: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 3 000
Vair.: 3 000
Rullis: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 5 000
Vair.: 5 000
Rullis: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
MouseReel ir pieejams
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 5 000
Vair.: 5 000
Rullis: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datu lapa
Noliktavā neesošas preces izpildes laiks 14 Nedēļas
Min.: 5 000
Vair.: 5 000
Rullis: 5 000

700 V SuperGaN