Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Pusvadītāju veidi

Mainīt kategorijas skatu
Rezultāti: 95
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1 292Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1


onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 996Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 424Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi Galvaniski izolēti kanālu draiveri DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13 951Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 430Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi Galvaniski izolēti kanālu draiveri DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13 990Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 569Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1


onsemi Galvaniski izolēti kanālu draiveri IGBT gate driver 24 079Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000


onsemi Galvaniski izolēti kanālu draiveri IGBT gate driver 8 097Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1 1 491Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 923Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 1 014Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800


onsemi Kanālu draiveri ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 19 089Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1 824Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1


onsemi SiC MOSFET 60MOHM 265Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 221Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi Galvaniski izolēti kanālu draiveri GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER 3 326Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 2 060Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 16 2 161Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1 182Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi Galvaniski izolēti kanālu draiveri ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1 187Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1 595Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 314Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1



onsemi Galvaniski izolēti kanālu draiveri ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1 738Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 1 276Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
Rullis: 800