GaN Pusvadītāji

Rezultāti: 680
Atlasīt Attēls Detaļas Nr. Raž. Apraksts Datu lapa Pieejamība Cenas noteikšana (EUR) Atlasiet rezultātus tabulā pēc vienības cenas, pamatojoties uz daudzumu. Daudz. RoHS
Nexperia GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 756Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 500

Power Integrations Maiņstrāvas/līdzstrāvas pārveidotāji 85 W (85-265 VAC) 1 584Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 000

MACOM GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Texas Instruments Kanālu draiveri 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF 239Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 250

CML Micro RF pastiprinātājs Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers 88Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 10

MACOM RF pastiprinātājs MMIC, GaN HEMT, G28V5, 50W, 5.2-5.9GHz,
28Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 10

Power Integrations Maiņstrāvas/līdzstrāvas pārveidotāji 75 W (85-265 VAC) 7 771Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 000

MACOM RF pastiprinātājs MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4 378Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 50

Qorvo RF pastiprinātājs 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
20Ir noliktavā
Min.: 10
Vair.: 10

Qorvo RF pastiprinātājs 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
34Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt

Qorvo RF pastiprinātājs 32-38GHz0.5WMMICDriver
43Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 126Ir noliktavā
1 800Pēc pasūtījuma
Min.: 1
Vair.: 1
: 200

Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt

CML Micro RF pastiprinātājs Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers 28Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 10

Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 123Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Qorvo RF pastiprinātājs 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
10Ir noliktavā
Min.: 10
Vair.: 10

MACOM RF pastiprinātājs GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W
10Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1

Texas Instruments Galvaniski izolēti kanālu draiveri 3.0kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21220AD 982Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 500

Qorvo RF pastiprinātājs .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB
50Ir noliktavā
Min.: 25
Vair.: 25

Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB

Power Integrations Maiņstrāvas/līdzstrāvas pārveidotāji 65 W (85-265 VAC) 4 780Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 000

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt

Texas Instruments Galvaniski izolēti kanālu draiveri 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540DWK 1 273Ir noliktavā
Min.: 1
Vair.: 1
: 2 000

Qorvo RF pastiprinātājs 2-20GHz 10W GAN AMPLIFIER
10Ir noliktavā
Min.: 10
Vair.: 10